domingo, 30 de mayo de 2010

Nuevos materiales para hacer frente a los nuevos desafios tecnologicos.

El mundo de los materiales es prácticamente ilimitado: hay un número tan enorme de combinaciones, de distintas estructuras...", dice Bernd Kieback, del Instituto Fruanhofer de Materiales Avanzados (Alemania); "lo difícil es encontrar los materiales que son útiles". Más que útiles, los nuevos materiales son indispensables para superar muchos de los actuales retos tecnológicos, desde coches de menor consumo hasta chips más potentes o motores más eficientes. Así lo ven los expertos reunidos la pasada semana en un curso sobre materiales en la Universidad Internacional Menéndez Pelayo (UIMP), en Santander.


"Cada vez se pide más a los materiales, los retos no son nada fáciles", admitió Kieback. Pero si por un lado aumenta la dificultad de los problemas, por otro mejoran las herramientas con que hacerles frente. Hoy los investigadores tienen cada vez más capacidad de controlar la materia a escala nanométrica, y por tanto de jugar con sus propiedades. Además, la simulación por ordenador permite diseñar materiales a medida antes de tratar de fabricarlos en el laboratorio.


Si se quiere implantar la economía basada en el hidrógeno antes habrá que resolver un problema: cómo almacenar en los coches el hidrógeno de forma eficiente y segura. La respuesta no está a la vuelta de la esquina, como explica Randall German, del Centro de Sistemas Avanzados para Vehículos de la Universidad de Misisipí, EE UU: "Puedes tener el hidrógeno en forma de gas en bombonas, pero es peligroso; lo puedes licuar, pero no es eficiente porque en el proceso de licuado se pierde mucho, y también por evaporación".
"Lo inteligente es disolver el hidrógeno en un material sólido muy poroso, de donde se pueda extraer en el momento adecuado. Pero aún no sabemos cómo hacerlo". Para introducir el hidrógeno en los materiales porosos investigados hasta ahora hace falta aplicar mucha presión, y para sacarlo hay que calentar el material a cientos de grados. Tecnológica y económicamente, no es la solución.
Es sólo uno de los retos expuestos por los participantes en el curso de la UIMP. Otro tiene que ver con el reactor de fusión nuclear ITER, en construcción en Cadarache (Francia). Se trata de hallar un material capaz de soportar altísimas temperaturas por una cara -la que dé al plasma donde se produce la fusión-, y por la otra, de traspasar el calor al resto del reactor. Una posibilidad es una aleación de Wolframio, metal que a altas temperaturas alta, y de cobre, muy eficaz disipando el calor. El grupo de Kieback, y muchos otros, trabaja en ello.


Otro reto es aligerar todo lo que corra, vuele u orbite. Los coches más ligeros ahorrarán en combustible; los aviones, satélites y cohetes también, o si la industria lo prefiere podrán aprovechar el ahorro en peso para introducir más carga útil o mejorar el confort de los pasajeros. De hecho algo así ha pasado con los coches: "Los actuales no son más ligeros que los de hace diez años, porque el peso ahorrado en fuselaje se ha ido en decenas de motores desde para bajar la ventanilla a bajar el seguro del coche, es decir, en mejorar el confort".


No obstante, lo difícil aquí, auguran tanto German como Kieback, no será tanto hallar un material súperresistente y ligero, sino que el consumidor esté dispuesto a pagar un valor añadido por él. "A menudo la solución tecnológica existe, y el freno es la economía", dice German.


Uno de los grandes esfuerzos del momento se orienta a abaratar el titanio, un material ideal por su ligereza y resistencia, pero carísimo. No obstante los nuevos métodos de extracción de titanio hacen pensar en una nueva era de auge este material de aquí a unos años, auguró Kieback.


Bill Clyne, de la Universidad de Cambridge (Reino Unido), investiga cómo mejorar la eficacia de los motores en aviones. "La eficiencia depende de la temperatura a que entra el gas en la turbina. Cuanto más caliente entre, mejor", explica. Así, el gas alcanza los 1.400 o 1.500 grados centígrados, pero la turbina está hecha de una alianza de níquel, que funde a poco más de mil grados. Se puede recubrir el níquel de un material cerámico aislante, pero surge otra pega: el calor hace que, con el tiempo, el recubrimiento se endurezca y se caiga. ¿Y si se hace más fino? Entonces el recubrimiento no aísla tanto...
"Siempre hay algo que te cierra el paso. Hay que ir sorteando condiciones", dice Clyne, que explicó cómo actúan las losetas de fibras de carbono que recubren los transbordadores espaciales protegiéndolos de las altas temperaturas en la reentrada a la atmósfera.


El consuelo, en cierto modo, es pensar que "la variedad de los materiales es tan grande que seguramente existe una solución", señala José Manuel Torralba, de la Universidad Carlos III, de Madrid, y director del curso de la UIMP. "Hay que dar con el proceso tecnológico correcto". Para ello se recurre a investigar los materiales a escala nanométrica, la escala de los átomos. "Pero lo que ocurre a esas escalas es tan distinto que estamos aún en la fase de entenderlo", dice Torralba. Por ejemplo, las nanopartículas; en un material, la cantidad de superficie expuesta es un parámetro clave, y en un material en nanopartículas la cantidad de superficie es enorme. Así, si una cerámica convencional necesita ser cocida para endurecerse, las nanopartículas pueden fraguar a temperatura ambiente, explica.


Lo cierto es que las propiedades de la materia en el mundo nano aún pillan por sorpresa a los investigadores. Luego entran en juego los ingenieros, que aprenden qué hay que hacer al material para lograr que tenga tales o cuales características.
German echa de menos la investigación en la Estación Espacial Internacional. Él lleva dos décadas investigando en materiales en microgravedad y su grupo ha hallado, dice, "las reglas matemáticas para hacer síntesis en Marte, en la Luna... Por supuesto es teórico, pero podremos hacer predicciones cuando se hagan los primeros experimentos".
Morales R. Karelis
CI 18089995
EES secc 2


Nanostructured Thin Films


Theme

The Nanostructured Thin Films program is focused on the synthesis, characterization, and modeling of dimensionally constrained materials systems in which a nano-scale trait of the material (e.g. grain size, film thickness, interfacial boundary, etc.) fundamentally determines its structure-property relationships. The work performed in this program falls primarily into two areas: (1) studies of thin-film growth phenomena and film properties, with emphasis on diamond and multicomponent oxides; and (2) first principles quantum-mechanical calculations that model thin film growth processes and electronic structure. Frequently, the experimental and theoretical efforts are coordinated on common scientific issues in a particular material system. Current research is devoted to (a) growth processes and structure-property relationships in doped and undoped ultrananocrystalline diamond thin films, with emphasis on understanding their morphological, mechanical, tribological, electronic, electron emission, electrochemical, and transport properties; (b) measurement of mechanical and tribological properties of diamond thin films using both conventional instrumentation and diamond-based microelectromechanical systems, and (c) growth and segregation phenomena in multicomponent oxide thin film heterostructures. Computational quantum chemical methods are used to model growth mechanisms of diamond thin films, and the electronic structure properties of nanocrystalline diamond grain boundaries, and to study other complex systems via computational chemistry.
This program is concerned with the fundamental science of nanostructured thin film and surface systems. Program activities fall into three major thrust areas:
  • Ultrananocrystalline diamond (UNCD) thin films encompasses experimental studies of diamond thin film growth processes, film morphology, grain boundary geometric and electronic structure, and their relation to structural, electronic, electrochemical, and electronic and thermal transport properties. This thrust is also focused on basic material science issues related to the development of diamond microfabrication techniques and the measurement of mechanical and tribological properties of diamond thin films using both conventional instrumentation and diamond-based microelectromechanical systems. The UNCD thin films are grown using a new microwave plasma chemical vapor deposition (PECVD) technique developed in this program. The incorporation of nitrogen into the argon-methane plasma and the subsequence incorporation of nitrogen as an electrically active dopant in UNCD is of high current interest.
  • Complex oxide thin films and heterostructures includes studies of oxide film-substrate interactions; segregation barrier materials; hydrogen/oxygen annealing effects and gas diffusion barrier materials. The growth of high dielectric constant oxides and interface formation in oxide thin films on silicon substrates is also of particular interest. This thrust involves the use of the time-of-flight ion scattering angle resolved spectroscopy (TOF-ISARS) technique developed by this program to monitor and control oxide thin film growth in real-time, and will also be used for in-situ tribology studies on UNCD thin films in the near future.
  • Quantum chemical methods play a crucial role this program, and frequently theory and experiment are coordinated on common scientific problems in a material system. For instance, current theory work is focused on the new observation from this program that nitrogen impurities enhance the conductivity of UNCD and change the morphology. The effects of nitrogen impurities in the grain boundaries of UNCD and the mechanisms for growth of UNCD thin films when CN is present in the plasma are of particular current interest. Various state-of-the-art electronic structure methods are being used, including ab initio molecular orbital theory and density functional theory. Over the past year a tight-binding density functional molecular dynamics self-consistent charge (TB-DFT-MD-SCC) method has been added to our simulation capabilities. The electronic structure theory used in this program also utilizes new quantum chemical methods that are being developed in the Molecular Materials effort (FWP 58510).

Highlights

  • Ultrananocrystalline Diamond: A New Allotrope of Carbon Ultrananocrystalline diamond (UNCD) is grown using a new plasma deposition process developed at ANL, and consists of ultra-small (2-5 nm) grains and atomically abrupt grain boundaries. UNCD films overcome most of the drawbacks of traditional, microcrystalline (1 mm grains) diamond films: they are smooth, dense, pinhole free, and phase-pure, and can be conformally coated on a wide variety of materials and high-aspect-ratio structures. UNCD has been found to have unique mechanical (high hardness and fracture strength), tribological (extremely low friction) transport (tunable electrical conductivity, high thermal conductivity), electrochemical (wide potential window), and electron emission (low threshold voltage) properties. In addition, UNCD-based microfabrication techniques have also been developed, allowing the development of micro- and nano-scale instrumentation for the measurement of material properties (mechanical, electronic and thermal transport) of nanostructured materials. UNCD is finding a wide range of industrial applications: in microelectromechanical systems (MEMS), as tribo-coatings for rotating shaft pump seals, as photonic switches in optical cross-connects, as field emission cathodes, as electrochemical electrodes, and as hermetic coatings on bioimplants. The 2000 MRS Award was presented to Dieter Gruen for the development of UNCD by Gruen and co-workers at ANL over the past ten years.
  • Ultrananocrystalline diamond (UNCD) is grown using microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) and consists of ultra-small (2-5 nm) grains and atomically abrupt grain boundaries. UNCD films are phase-pure, and can be conformally coated on high aspect ratio structures on a variety of materials. UNCD has been found to have many unique materials properties, several of which are tunable via the precise control of plasma chemistry.
  • High-conductivity UNCD thin films have been produced via the addition of nitrogen gas to the plasma. Conductivity and Hall voltage measurements as a function of film temperature revealed that the UNCD films have the highest n-type conduction and carrier concentration demonstrated up to now for diamond films with nitrogen incorporation. We have proposed a novel grain-boundary conduction mechanism to explain this remarkable behavior.
  • UNCD coatings exhibited hardness (~ 97 GP) and YoungÕs modulus (~960 Gpa) values that are very similar to single crystal diamond. Preliminary tribological tests revealed that UNCD coatings also exhibit a very low friction coefficient (~ 0.01). These results indicate that UNCD has great potential for application in microelectromechanical systems (MEMS).
  • Studies of electron field emission from UNCD coated flat substrates and microtip arrays have yielded consistently low threshold fields (1Ð2 V/µm), high total emission currents (up to 10 mA), and stable emission during long-duration testing (up to 14 days). These studies have lead to a deeper understanding of field electron emission as well as potential applications of UNCD-based cold-cathode electron sources.
  • UNCD electrodes exhibit a wide working potential window, a low background current, and high degree of electrochemical activity for redox systems such as Fe(CN)6-3/-4, Ru(NH3)6+3/+2, IrCl6-2/-3, and methyl viologen (MV+2/+). These results, in combination with the biocompatibility properties of UNCD, could lead to the applications of UNCD electrodes for nerve stimulation.
  • In situ mass spectroscopy of recoil surface analysis and X-ray photoeloectron spectroscopy were used to study oxidation processes in amorphous and crystalline TiAl and TiAlN layers. XPS revealed the formation of TiO2 on the surface of TiAlN at 500-600oC and on TiAl at 600-700 ¡C. making the latter m ore resistant to oxidation. Electrical characterization of PZT capacitors demonstrated that the TiAL provides a good diffusion barrier layer for integration of PZT capacitors with Si substrates.
  • Density-functional based tight-binding molecular dynamics calculations of high-energy high-angle twist (100) diamond grain boundaries with and without nitrogen impurities have been performed. We found that about one-half of the carbons in the grain boundary are threefold coordinated and are responsible for states introduced into the band gap. Based on these findings, we proposed that GB conduction involving carbon p-states in the GB is responsible for the high electrical conductivities in nitrogen-doped UNCD thin films.

Impact

Over the past three years over 50 publications, over 20 invited talks, and three plenary talks have resulted from this work. In addition, UNCD is finding many potential applications as cold-cathode electron sources, tribomechanical coatings, biochemical electrodes, and microelctromechancial systems (MEMS). The 2000 MRS Award was presented to D.M. Gruen for the development of UNCD at ANL over the past ten years, and the 2000 Award of Integrated Ferroelectrics was presented to O. Auciello for work on in situ studies of perovskite film growth and interface processes.
INTERACTIONS




Morales R. Karelis
CI 18089995
ESS Secc 2


THIN FILM SCEINCE


Recent years, thin film science has grown world-wide into
a major research area. The importance of coatings and the
synthesis of new materials for industry have resulted in a
tremendous increase of innovative thin film processing technologies.
Currently, this development goes hand-in-hand
with the explosion of scientific and technological breakthroughs
in microelectronics, optics and nanotechnology
[1]. A second major field comprises process technologies for
films with thicknesses ranging from one to several microns.
These films are essential for a multitude of production areas,
such as thermal barrier coatings and wear protections,
enhancing service life of tools and to protect materials
against thermal and atmospheric influences . Presently,
rapidly changing needs for thin film materials and
devices are creating new opportunities for the development
of new processes, materials and technologies.
Therefore, basic research activities will be necessary in
the future, to increase knowledge, understanding, and to
develop predictive capabilities for relating fundamental
physical and chemical properties to the microstructure
and performance of thin films in various applications. In
basic research, special model systems are needed for quantitative
investigations of the relevant and fundamental processes
in thin film materials science. In particular, these
model systems enable the investigation of i.e. nucleation
and growth processes, solid state reactions, the thermal
and mechanical stability of thin film systems and phase
boundaries. Results of combined experimental and theoretical
investigations are a prerequisite for the development
of new thin film systems and the tailoring of their
microstructure and performance.

State of the Art
The major exploitation of thin film science is still in the
field of microelectronics. However, there are growing applications
in other areas like thin films for optical and magnetic
devices, electrochemistry, protective and decorative
coatings and catalysis. Most features of these thin film
activities are represented by a relatively new research area,
called surface engineering. Surface engineering has been
one of the most expanding scientific areas in the last 10
years and includes the design and processing of surface
layers and coatings, internal interfaces and their characterization.
Surface engineering is directed by the demands
of thin film and surface characteristics of materials.

(a) Thin film processing techniques
There exists a huge variety of thin film deposition processes
and technologies which originate from purely physical
or purely chemical processes. The more important thin
film processes are based on liquid phase chemical techniques,
gas phase chemical processes, glow discharge processes
and evaporation method. Recently, a considerable
number of novel processes that utilize a combination
of different processes have been developed. This combination
allows a more defined control and tailoring of the
microstructure and properties of thin films. Typical processes
are e.g. ion beam assisted deposition (IBAD) and
plasma enhanced CVD (PECVD). Examples for novel thin
film processing techniques, which are still under development,
are pulsed laser ablation (PLD) and chemical solution
deposition (CSD). Both techniques enable the synthesis
of complex thin film materials (complex oxides, carbides,
and nitrides).

Presently, experimental efforts are increasingly supported
by computational approaches that address complex growth
processes, saving time and money. These approaches
enable e.g. the description of the evolution of thin film
microstructures as a function of processing parameters.

(b) In situ characterization
The thin film process equipment can be categorized into
production equipment for device manufacturing, equipment
for research and development, and prototype apparatus
for fundamental investigations of new or established
deposition processes. One reason for the world-wide rapid
growth of deposition technology is that equipment manufacturers
have successfully met the demands for more
sophisticated deposition systems including in situ characterization
(e.g. reflection high-energy electron diffraction
(RHEED), scanning probe microscopy (SPM)) and process
monitoring techniques for measuring process parameters
and film properties (e. g. ellipsometry, plasma analysis
techniques). Novel experimental tools have enabled
discoveries of a variety of new phenomena at the nanoscale
which have in turn opened unexpected opportunities
for the development of thin film systems, and tremendous
progress regarding a fundamental understanding of the
respective technological processes has been made.

(c) New materials
Thin film systems necessitate direct control of materials
on the molecular and atomic scale, including surface modifications,
deposition and structuring. Many of these techniques
were improved during the last decade, resulting in
remarkable advances in the fundamental understanding
of the physics and chemistry of thin films, their microstructural
evolution and their properties. This progress has
led to the development of new materials, expanded applications
and new designs of devices and functional thin film
systems. One of the most outstanding examples is the successful
development of semiconductor devices with novel
materials like oxides and nitrides (e.g. GaN). Other typical
examples are advances in the synthesis of hard coatings
based on borides, carbides and nitrides.

Expectations 2000 –2010
The gap between solving fundamental materials problems
and developing new thin film devices for microelectronic
and nanotechnological applications is quickly increasing.
For example, in many applications the development of thin
film systems is accompanied by a variety of materials and
processing problems, which require extensive future
efforts to be solved. Prominent examples are the adhesion
and the thermal and environmental stability of thin film
systems. Future developments are critical to overcoming
obstacles to miniaturization as feature sizes in devices
reach the nanoscale. Basic research in this field will refer
to developments of experimental tools necessary to in situ
characterize and measure thin film structures (e.g. optical
and magnetic characterization), and developments of
novel techniques for synthesis and design. These techniques
may be more reliable, less expensive, or capable of
producing films with new or improved properties. Typical
examples are chemical solution deposition (CSD), including
hydrothermal approaches, biomimetic pathways for
assembling inorganic thin films, or device applications of
liquid crystalline polymer film.
Experiments alone will be insufficient. Theory and modelling
are essential for a complete understanding of the fundamental
growth and deposition processes. Multiscale
modelling of thin film and nanostructuring processes will
be an absolute necessity in the next decade in order to
utilize the tremendous potential of thin film science and
technology. It is expected that time consuming and expensive
experiments will be replaced by theory and modelling.
Especially, it is still necessary to develop a fundamental
understanding of the decisive growth and deposition processes.
It will be important for research institutes to focus
on the development of fundamental and novel processes
and devices. This will only be realized if a more defined
connection of the activities between single research
groups and industry can be achieved, based on a fluent
exchange of information. Research institutes and companies,
which cannot achieve this, will have difficulty competing
in future. In this field, Europe must compete directly
with the U.S. and Japan. In comparison to Europe,
there appears to exist an advantageous research environment
in the U.S. and Japan, which supports a more fluent
conversion of results from basic research into applications.
This could be balanced in Europe by improved
networking between industry and research laboratories in
the field of basic researc.

                  Morales R. Karelis
                     CI 1808995
                      ESS secc 2

Los componentes electronicos semiconductores

Se entiende por láminas delgadas las capas de material en el rango de fracciones de nanometro hasta varios micrómetros de espesor. Los componentes electronicos semiconductores y los recubrimientos opticos son los mayores beneficiarios del desarrollo de las láminas delgadas. También hay investigación con láminas delgadas ferro magneticas para su uso en memorias de ordenador.
Las láminas delgadas ceramicas son las más usadas. La relativa dureza y pasividad química de los materiales cerámicos hacen de este tipo de recubrimientos de interés para la protección de substratos contra la corrosión, la oxidación y el desgaste. Particularmente, el uso de estos recubrimientos en herramientas de corte puede extender la vida útil de estos utensilios varios órdenes de magnitud.
La tecnología de capas delgadas también se ha desarrollado como un método para reducir el coste de los sistemas fotovoltaicos. La explicación a esto es que los módulos de láminas delgadas se espera que sean más baratos debido a su menor coste en material, energía y manipulación. Sin embargo, aun se deben desarrollar láminas delgadas basadas en nuevos materiales semiconductores, que incluyen silice, amorfo, cobre,cadmio, teluro y sílice cristalino. En todos esos casos, estas tecnologías tendrán que afrontar considerables obstáculos técnicos y financieros.

Uno de los mayores escollos que aparecen en la deposicion de láminas delgadas es la posibilidad de recubrir sustratos de grandes dimensiones obteniendo resultados de alta precisión, con deposiciones mono o multi-capa. La deposición mediante chorro de plasma HITUS junto con la tecnología de targetting lineal ha demostrado grandes mejoras en objetivos como la precision, uniformidad, control de traccion, y rugosidad en subsastratos con longitudes desde y superiores a 50/60cm. El Targetting Lineal también permite el desarrollo de procesos en línea con las mismas ventajas que el HITUS para procesos roll-to-roll o en continuó.

Las células o celdas solares son dispositivos que convierten energía solar en electricidad, ya sea directamente vía el efecto fotovoltaico, o indirectamente mediante la previa conversión de energía solar a calor o a energía química.
La forma más común de las celdas solares se basa en el efecto fotovoltaico, en el cual la luz que incide sobre un dispositivo semiconductor de dos capas produce una diferencia del fotovoltaje o del potencial entre las capas. Este voltaje es capaz de conducir una corriente a través de un circuito externo de modo de producir trabajo útil.

Los orígenes de celdas solares
Aunque las celdas solares eficientes han estado disponibles recién desde mediados de los años 50, la investigación científica del efecto fotovoltaico comenzó en 1839, cuando el científico francés, Henri Becquerel descubrió que una corriente eléctrica podría ser producida haciendo brillar una luz sobre ciertas soluciones químicas.
El efecto fue observado primero en un material sólido (el metal selenio) en 1877. Este material fue utilizado durante muchos años para los fotómetros, que requerían de cantidades muy pequeñas de energía. Una comprensión más profunda de los principios científicos, fue provista por Albert Einstein en 1905 y Schottky en 1930, la cual fue necesaria antes de que celdas solares eficientes pudieran ser confeccionadas. Una célula solar de silicio que convertía el 6% de la luz solar que incidía sobre ella en electricidad fue desarrollada por Chapin, Pearson y Fuller en 1954, y esta es la clase de célula que fue utilizada en usos especializados tales como satélites orbitales a partir de 1958.
Las celdas solares de silicio disponibles comercialmente en la actualidad tienen una eficiencia de conversión en electricidad de la luz solar que cae sobre ellas de cerca del 18%, a una fracción del precio de hace treinta años. En la actualidad existen una gran variedad de métodos para la producción práctica de celdas solares de silicio (amorfas, monocristalinas o policristalinas), del mismo modo que para las celdas solares hechas de otros materiales (seleniuro de cobre e indio, teluro de cadmio, arseniuro de galio, etc).
¿Cómo se hacen las celdas solares?
Las celdas solares de silicio se elaboran utilizando planchas (wafers) monocristalinas, planchas policristalinas o láminas delgadas
Las planchas monocristalinas (de aproximadamente 1/3 a 1/2 de milímetro espesor) se cortan de un gran lingote monocristalino que se ha desarrollado a aproximadamente 1400°C, este es un proceso muy costoso. El silicio debe ser de una pureza muy elevada y tener una estructura cristalina casi perfecta.
Las planchas policristalinas son realizadas por un proceso de moldeo en el cual el silicio fundido es vertido en un molde y se lo deja asentar. Entonces se rebana en planchas. Como las planchas policristalinas son hechas por moldeo son apreciablemente más baratas de producir, pero no tan eficiente como las celdas monocristalinas. El rendimiento más bajo es debido a las imperfecciones en la estructura cristalina resultando del proceso de moldeo.
En los dos procesos anteriormente mencionados, casi la mitad del silicio se pierde como polvo durante el cortado.
El silicio amorfo, una de las tecnologías de lámina delgada, es creado depositando silicio sobre un substrato de vidrio de un gas reactivo tal como silano (SiH4). El silicio amorfo es una de grupo de tecnologías de lámina delgada. Este tipo de célula solar se puede aplicar como película a substratos del bajo costo tales como cristal o plástico. Otras tecnologías de lámina delgada incluyen lámina delgada de silicio multicristalino, las celdas de seleniuro de cobre e indio/sulfuro de cadmio, las celdas de teluro de cadmio/sulfuro del cadmio y las celdas del arseniuro de galio. Las celdas de lámina delgada tienen muchas ventajas incluyendo una deposición y un ensamblado más fácil, la capacidad de ser depositadas en substratos o materiales de construcción baratos, la facilidad de la producción en masa, y la gran conveniencia para aplicaciones grandes.
En la producción de celdas solares al silicio se le introducen átomos de impurezas (dopado) para crear una región tipo p y una región tipo n de modo de producir una unión p-n. El dopado se puede hacer por difusión a alta temperatura, donde las planchas se colocan en un horno con el dopante introducido en forma de vapor. Hay muchos otros métodos de dopar el silicio. En la fabricación de algunos dispositivos de lámina delgada la introducción de dopantes puede ocurrir durante la deposición de las láminas o de las capas.
Un átomo del silicio tiene 4 electrones de valencia (aquellos más débilmente unidos), que enlazan a los átomos adyacentes. Substituyendo un átomo del silicio por un átomo que tenga 3 o 5 electrones de la valencia producirá un espacio sin un electrón (un agujero) o un electrón extra que pueda moverse más libremente que los otros, ésta es la base del doping. En el doping tipo p, la creación de agujeros, es alcanzada mediante la incorporación en el silicio de átomos con 3 electrones de valencia, generalmente se utiliza boro. En el dopaje de tipo n, la creación de electrones adicionales es alcanzada incorporando un átomo con 5 electrones de valencia, generalmente fósforo.
Una vez que se crea una unión p-n, se hacen los contactos eléctricos al frente y en la parte posterior de la célula evaporando o pintando con metal la plancha. La parte posterior de la plancha se puede cubrir totalmente por el metal, pero el frente de la misma tiene que tener solamente un patrón en forma de rejilla o de líneas finas de metal, de otra manera el metal bloquearía al sol del silicio y no habría ninguna respuesta a los fotones de la luz incidente.

¿Cómo funcionan las celdas solares?
Para entender la operación de una célula fotovoltaica, necesitamos considerar la naturaleza del material y la naturaleza de la luz del sol. Las celdas solares están formadas por dos tipos de material, generalmente silicio tipo p y silicio tipo n. La luz de ciertas longitudes de onda puede ionizar los átomos en el silicio y el campo interno producido por la unión que separa algunas de las cargas positivas ("agujeros") de las cargas negativas (electrones) dentro del dispositivo fotovoltaico. Los agujeros se mueven hacia la capa positiva o capa de tipo p y los electrones hacia la negativa o capa tipo n. Aunque estas cargas opuestas se atraen mutuamente, la mayoría de ellas solamente se pueden recombinar pasando a través de un circuito externo fuera del material debido a la barrera de energía potencial interno. Por lo tanto si se hace un circuito se puede producir una corriente a partir de las celdas iluminadas, puesto que los electrones libres tienen que pasar a través del circuito para recombinarse con los agujeros positivos.
La cantidad de energía que entrega un dispositivo fotovoltaico está determinado por:
  • El tipo y el área del material
  • La intensidad de la luz del sol
  • La longitud de onda de la luz del sol
Por ejemplo, las celdas solares de silicio monocristalino actualmente no pueden convertir más el de 25% de la energía solar en electricidad, porque la radiación en la región infrarroja del espectro electromagnético no tiene suficiente energía como para separar las cargas positivas y negativas en el material.
Las celdas solares de silicio policristalino en la actualidad tienen una eficiencia de menos del 20% y las celdas amorfas de silicio tienen actualmente una eficiencia cerca del 10%, debido a pérdidas de energía internas más altas que las del silicio monocristalino.
Una típica célula fotovoltaica de silicio monocristalino de 100 cm2 producirá cerca de 1.5 vatios de energía a 0.5 voltios de Corriente Continua y 3 amperios bajo la luz del sol en pleno verano (el 1000Wm-2). La energía de salida de la célula es casi directamente proporcional a la intensidad de la luz del sol. (Por ejemplo, si la intensidad de la luz del sol se divide por la mitad la energía de salida también será disminuida a la mitad).
Una característica importante de las celdas fotovoltaicas es que el voltaje de la célula no depende de su tamaño, y sigue siendo bastante constante con el cambio de la intensidad de luz. La corriente en un dispositivo, sin embargo, es casi directamente proporcional a la intensidad de la luz y al tamaño. Para comparar diversas celdas se las clasifica por densidad de corriente, o amperios por centímetro cuadrado del área de la célula.
La potencia entregada por una célula solar se puede aumentar con bastante eficacia empleando un mecanismo de seguimiento para mantener el dispositivo fotovoltaico directamente frente al sol, o concentrando la luz del sol usando lentes o espejos. Sin embargo, hay límites a este proceso, debido a la complejidad de los mecanismos, y de la necesidad de refrescar las celdas. La corriente es relativamente estable a altas temperaturas, pero el voltaje se reduce, conduciendo a una caída de potencia a causa del aumento de la temperatura de la célula.
Otros tipos de materiales fotovoltaicos que tienen potencial comercial incluyen el diselenide de cobre e indio (CuInSe2) y teluo de cadmio (CdTe) y silicio amorfo como materia prima.

Morales R. Karelis
CI 18089995
EES


sábado, 29 de mayo de 2010

Thin Film Technology Applications in Industry

CSIRO Materials and Engineering Division at Lindfield hosted on Wednesday 22nd October 2008, the Thin Film Technology Applications in Industry event. The outstanding event was attended by more than 50 representatives from local Sydney industry, who enjoyed several key presentations on the topic and a site tour of the exceptional & world leading facilities at CSIRO.

The Greater Western Sydney Economic Development Board (GWSEDB) and the Department of State and Regional Development (DSRD) were proud to present Thin Film Technology Applications in Industry as a part of the ongoing Innovation in Manufacturing Series.

CSIRO Materials Science and Engineering is one of CSIRO's largest Divisions. The division provides a coordinated approach to materials design, creation, characterisation and application to a wide range of industries. Their focus is to work in partnership with Australian industries to deliver exciting new technology outcomes.

Thin Film technology is revolutionizing materials and their properties in many key industries. These industries include computers, semiconductors, microelectronics, food, and nanotechnology, metallurgical materials in aerospace and advanced engineering, mining, fabrics and clothing and in coatings for biomed and medical devices.

Dr Avi Bendavid, Research Scientist, CSIRO Materials Science & Engineering Division, spoke on the various uses of Thin Films, which play a key role in many technological and sophisticated industries including microelectronics, optoelectronics, biomedical and sensors. In addition thin films perform a critical function in data storage devices. Such devices include magnetic memory such as hard and floppy disks, and in optical CD memories. Rapid progress and advancement has been achieved in thin film technology over the last two decades in the synthesis of new materials, advanced deposition methods, characterisation and applications.

Benjamin Johnston of the Australian National Fabrication Facility (ANFF) also presented on the day; ANFF was established in 2007 under the National Collaborative Research Infrastructure Strategy (NCRIS). ANFF links 7 university-based nodes around Australia to provide researchers and industry with state-of-the-art fabrication facilities. The capability provided by ANFF enables users to process hard materials (metals, semiconductors, composites and ceramics) and soft materials (polymers, and polymer-biological moieties) and transform these into new structures that have application in sensors, medical devices, nanophotonics and nanoelectronics. For more information see www.anff.org.au

Professor Mark Hoffman, Head of School of Materials Science, University of NSW (UNSW) and Dr Nagarajan Valanoor, Senior Lecturer, School of Material Science, UNSW, presented the university's latest thin film technologies. The School of Materials Science & Engineering at UNSW has research efforts ranging from the development of function thin films to abrasion and wear resistant coatings. The School houses a Pulsed Laser Deposition Facility used to synthesise thin film coatings of functional oxides (such as ferroelectrics and dielectrics), superhard nanolayered metallic films and other systems such as a metallic Ti, TiN and transition metal oxides. A large effort takes place in the development of new coating systems for a broad range of applications utilising advanced microscopy and functional property characterisation and finite element modelling.

The Board's General Manager, Mr Bob Germaine, said
"Today we have seen how Australian research expertise in Thin Film technologies is now delivering a capability in super hard and wear resistant coatings.

We saw how dies for the coins at the Australian Mint are now lasting 5-10 times longer by utilising these new non toxic, super hard, coatings."

The Highest Performing Thin Film Products

At HelioVolt, we are driving solar innovation to power a sustainable world. We work hard to ensure our modules are the highest performing thin film products on the market. We work closely with our partners to optimize our products and system designs to best utilize our unique value proposition for every application.

Commercial roof tops

Complex rooftop installations require novel solutions to adapt to existing building orientation, roof structure, shading and wind load. HelioVolt has developed an ultra-efficient solution resulting in superior diffused light performance while maintaining high energy yield with low-tilt mounting.
HelioVolt has relationships with leading BOS providers to ensure compatibility for the most cost-effective implementation, even in complex building environments.
Ground mount
Utility scale solar power calls for reliable high performance modules. HelioVolt modules deliver impressive returns with high power from next generation thin-film technology. With 10 to 20% higher performance than today's c-Si PV technologies, our products are designed to yield the highest energy harvest versus peak power rating.
Residential rooftops
Solar system applications for our homes require the perfect combination of HelioVolt energy yield and aesthetics. Limited options in existing roof orientation can present a challenge for c-Si solar system installations, creating an opportunity for high performance thin film modules.

BIPV
HelioVolt has invested years in developing relationships with leading building material manufacturers and some of the world's top architects in order to deliver the most efficient and cost effective solar solutions for the integrated building environment. We focus on seamlessly incorporating our solar products into building materials to develop variable glass and wall panel sizes while providing the highest efficiency thin-film products available. Only CIGS delivers efficiencies over 10% with dark and uniform color and reflectance properties to offer both maximum energy production and architecturally aesthetic design.

Custom
HelioVolt's technology is the most versatile technology platform. From fields to rooftops and buildings and finally custom structures, such as car shading, HelioVolt's high-performance and aesthetic attributes make our modules ideal for the most demanding climates and applications.