lunes, 14 de marzo de 2011

Desarrolla Toshiba nuevo MOSFET-Espintrónico

La nueva técnica permite a la compañía crear la primera unidad lógica basada en tecnología Spintronic o Transporte de Movimientos Electrónicos con MOSFET, lo que produce un rango alto de operatividad para la excitación magnética de los electrones.

La primera unidad lógica que permitirá la mejora de los dispositivos electrónicos venideros con mayor desempeño, eficiencia energética y miniaturización de tamaño, fue adjudicado el pasado 7 de diciembre a la compañía japonesa de electrónica, Toshiba.

En el marco de las celebraciones del Congreso Internacional de Dispositivos Electrónicos en la ciudad de Baltimore, Maryland (Estados Unidos), representantes de la firma presentaron la nueva "célula" como ellos la llamaron y la cual está desarrollada con tecnología Spintronics o Spin Transport Electronics, una técnica que conlleva al traslado magnético de los saltos de los electrones.

Por si fuera poco, este elemento está elaborado bajo el ya tradicional método MOSFET (Transistores Semiconductores Óxido-Metal efecto-campo) lo cual le confiere la seguridad de una distorsión más baja al controlar el desprendimiento térmico que se produce durante el procesado de la señal.



Al contar por decirlo así con una hibridación tecnológica entre Spintronic y MOS efecto-campo, la nueva propuesta de Toshiba no se ve limitada al perfeccionamiento de tal tecnología para futuros componentes de integración electrónica más pequeños, más eficientes y con menor consumo, pues cabe recordar que en contraposición MOSFET como tecnología se encuentra en vísperas de topar con pared ante factores tendenciales como la miniaturización, incremento de desempeño y reducción de consumo de energía, lo cual es muy limitado para los dispositivos que poseen en su interior tecnología MOSFET, mas no para Spintronics.



Para comprobar que la tecnología más confiable para dar un salto a la frontera tecnológica conformada por rasgos limitantes en la micro-electrónica, lo ingenieros de Toshiba han determinado llevar a cabo una serie de pruebas con su nueva unidad y documentarla en distintas aplicaciones, según precisa el informe de prensa de la firma.

Para entender la propuesta de esta tecnología, el reporte comenta que los Electrones hallados en una capa magnética son naturalmente polarizados en uno ó dos estados de movimiento: abajo o arriba. Señala que tales estados son más o menos permanentes en la misma capa magnética, lo que permite utilizar las características no-volátiles para almacenar datos.

En esta etapa la corriente es fluida hacia el mismo estado del movimiento o Spin sobre la misma capa magnética, lo cual produce a su vez un cambio considerable en la Impedancia del ambiente para determinar con ello la lectura de señal en el spin del dispositivo.



Tal y como se muestra en la imagen anterior, Toshiba ha introducido las capas magnéticas en la misma fuente y drenado la célula MOSFET de tal manera que se pueden controlar exitosamente la dirección del movimiento o spin. Para hacer esto, los ingenieros de la firma se sirvieron de un método conocido como Spin-Transfer-Torque-Switching (STS) y aplicando una puerta y fuente de dren de voltajes.

Asimismo se usó un empalme de un túnel magnético para la lectura de la operación del STS en las capas magnéticas las cuales forman una completa aleación Hausler,un complemento inter-metálico que actúa como alto polarizador de spines.

Con esto, Toshiba aseguró la veracidad de su propuesta debido al desempeño práctico en el nivel del transistor del dispositivo escalable basado en tecnología MOSFET-Spintronics que promete de alguna manera una rápida selección de escritura y accesibilidad a nivel mayor que una tecnología ordinaria con solo MOSFET y por supuesto una reducción valiosa en el consumo de energía.

Finalmente se subraya que esta tecnología abrirá la puerta a la siguiente generación de dispositivos electrónicos con semiconductores no-volátiles y con la capacidad de ser utilizados como dispositivos reconfigurables.
 
Jesús E Ramirez C
caf

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