Una nueva técnica desarrollada por ingenieros investigadores de la compañía International Business Machines (IBM), permitirá la creación de modelados tridimensionales (3D) aplicables al diseño nanométrico en chips de Silicio y CMOS, por mencionar algunos.
En un informe generado por el departamento de prensa de IBM, se subscribe que la técnica también permitirá abrir paso a nuevas tecnologías para evolucionar o bien sustituir la actual técnica litográfica electrónica (EBL).
A comparación del EBL (Electron Beam Lithography) o Litografía por haz de Electrones, el método de IBM podría entonces reducir los costos de manufactura y desarrollo hasta en un 90% en comparación con el actual sistema EBL, además el ciclo de trabajo resultaría más eficaz pues sería más rápido.
En el mismo informe Michel Despont, físico y co-autor de este documento de investigación, explicó que otro de los beneficios encontrados en el nuevo método es la poca cantidad de procesos que se ocupan para llevarlo a cabo, a diferencia del EBL. Asimismo mencionó que incluso puede ser utilizado para crear estructuras 3D, lo que significa que podría ser usado para un sin fín de aplicaciones no sólo para el sector de diseño electrónico.
En primera instancia, los investigadores comenzaron con un modelo de 25 nanómetros tomando como base un voladizo montañoso llamado Matterhorn localizado entre Italia y Suiza, y la cual posee una altura de aproximadamente 4 kilómetros de altura.
El modelo tridimensional fue construido en escasos 3 minutos y esculpido en una sustancia vidriosa que es al mismo tiempo un material orgánico. Este material orgánico estaba expuesto en una micro lámina condensada de 500 nanómetros de longitud y 5 nanómetros de espesor con bases de Silicio, la cual fue sometida incluso a una temperatura superior a los 330°C, y por cuestiones de microsegundos, soportó la prueba.
Los científicos aplaudieron la resistencia de este material pues reconocieron que si hubiese sido otro material común usado en la industria del Silicio, tales como las cadenas de Hidrógeno, no hubieran resistido.
La demostración produjo al mismo tiempo un mapa tridimensional a nanoescala de 22 x 11 micrómetros. Según el informe de prensa de IBM, el mapa 3D es tan pequeño, que incluso se pudiera dibujar sobre un grano de sal.
Entre sus objetivos a corto o mediano plazo se encuentra la reducción de dibujos nanométricos más pequeños que los 15 nm que alcanza a la fecha, pues creen que esto será posible gracias a la flexibilidad del sistema.
El documento fue publicado en el periódico "Science" y en el mismo aparecen algunas declaraciones de los responsables del invento, indicando que uno de sus prontos planes para esta técnica es la creación de meta-materiales, componentes ópticos para el prototipado de CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), componentes nano-electrónicos, e incluso nanotubos de auto-formación.
Desafortunadamente el líder del proyecto comentó que el sistema no sería por lo pronto comercializado sino dentro de unos 5 años más adelante, aunque señaló que en el caso de Universidades o Centros de Investigación, el sistema será puesto a disposición antes de este tiempo.
En el siguiente video se observa brevemente el proceso de este sistema en el modelado de la montaña Matterhorn en capas moleculares. La superficie inicial fue imaginada y seguida de márgenes que fueron llevados con casi 12 pasos de dibujo entre los propios márgenes.
Jesús E Ramirez C
caf
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